單晶硅差壓變送器
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單晶硅差壓變送器
產(chǎn)品說明:江蘇美安特單晶硅差壓變送器芯片采用超高純度單晶硅材質(zhì),,其材質(zhì)特性優(yōu)于市場上通用的復合硅、擴散硅材料,,芯片采用德國領先的單晶硅雙梁懸浮式技術,,結合了硅壓阻與硅諧振技術雙方特點,。歡迎垂詢!
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產(chǎn)品說明
隨著微電子機械加工系統(tǒng)技術的日趨成熟而為傳感器行業(yè)帶來一場新的革命,對于壓力、差壓,、液位傳感器而言,其封裝的傳感器芯片本質(zhì)將決定最終產(chǎn)品的性能與等級,。以目前國際市場上廣泛采用的硅芯片技術而言,,硅壓阻技術加工工藝成熟,但其信噪比特性與溫度特性有待提高,;硅諧振技術加工工藝復雜過壓特性不好,;本公司單晶硅差壓變送器芯片采用超高純度單晶硅材質(zhì),其材質(zhì)特性優(yōu)于市場上通用的復合硅,、擴散硅材料,芯片采用德國領先的單晶硅雙梁懸浮式技術,,結合了硅壓阻與硅諧振技術雙方特點,,并從設計與工藝上做出了創(chuàng)新性優(yōu)化,實現(xiàn)高精度,、高穩(wěn)定性,、低溫度影響、超高過壓等優(yōu)異性能,,完全適用于工業(yè)過程控制,、自動化制造、航天航空,、汽車與船舶,、醫(yī)療衛(wèi)生等多個領域。
一,、單晶硅差壓變送器性能特點:
1,、高純度單晶硅材質(zhì),有效提高產(chǎn)品壽命及長期穩(wěn)定性
2,、雙惠斯通電橋設計,,“雙梁”電阻溫度特性互補,提高芯片抗干擾能力
3,、LCD帶背光顯示數(shù)字表頭可以顯示壓力,、百分比和電流及0~100%模擬指示
4、通過按鍵組合操作能實現(xiàn)調(diào)零和調(diào)滿功能,以及數(shù)據(jù)恢復功能,,方便了現(xiàn)場調(diào)試
5,、信號轉(zhuǎn)換、信號采集與處理及電流輸出控制采用了一體化專用集成電路(ASICS)使智能變送器具有高穩(wěn)定,、高可靠,、高抗震等特點,并具有良好的互換性
二,、單晶硅差壓變送器技術參數(shù):
產(chǎn)品型號:3351JDP-單晶硅差壓變送器3351JDR-單晶硅微差壓變送器
測量原理:單晶硅懸浮式
適用場合:水壓,、油壓、氣壓,、負壓
測量范圍:-400~400kPa量程可選
測量精度:±0.1%,;±0.075%
電源:DC10.5~45V
輸出:DC4~20mA+HART
三、單晶硅差壓變送器產(chǎn)品選型:
3351JDR |
微差壓變送器 |
||||||||||
3351JDP |
差壓變送器 |
||||||||||
量程范圍 |
代碼 |
量程單位 |
|||||||||
KPa |
InH2O |
mBar |
mmH2O |
||||||||
|
(根據(jù)以下表格中選取代碼) |
||||||||||
輸出信號 |
S |
4~20Ma+HART協(xié)議 |
|||||||||
T |
特殊要求 |
||||||||||
精度等級 |
I75 |
0.075%± |
|||||||||
I1 |
0.1%± |
||||||||||
I2 |
0.25%± |
||||||||||
顯示方式 |
M3 |
液晶顯示 |
|||||||||
連接型式及尺寸 |
C2 |
丁字形螺紋接頭M20×1.5,,帶Ф14焊接引壓管(GP型) |
|||||||||
SF |
配三閥組 |
||||||||||
Y |
用戶約定 |
||||||||||
安裝支架型式(GP型) |
B1 |
管裝彎支架 |
|||||||||
B2 |
板裝彎支架 |
||||||||||
B3 |
管裝平支架 |
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隔爆等級 |
B |
ExdiiCT6 |
四,、工作壓力:
型號 |
膜盒 |
工作壓力 |
DR微差壓變送器 |
DR1(1KPa) |
1.5MPa |
DR2(6KPa) |
2MPa |
|
DP中靜壓差壓變送器 |
M1~M6 |
25MPa |
DX大量程差壓變送器 |
L1(2MPa) |
25MPa |
L2(4MPa) |
20MPa |
|
L3(10MPa) |
20MPa |
|
HP高靜壓差壓變送器 |
HP1~HP6 |
40MPa |
DPS低靜壓差壓變送器 |
S1(10KPa) |
2MPa |
|
S2(20KPa) |
3.5MPa |
|
S3(40KPa) |
3.5MPa |
|
S4(100KPa) |
7MPa |
|
S5(200KPa) |
7MPa |
|
S6(500KPa) |
7MPa |
五、壓力量程選擇:
5-1DPS低靜壓差壓變送器:
量程/范圍 |
KPa |
inH2O |
mBar |
mmH2O |
|
S1 |
量程 |
0.5~10 |
2~40 |
5~100 |
50~1000 |
范圍 |
-10~10 |
-40~40 |
-100~100 |
-1000~1000 |
|
S2 |
量程 |
1~20 |
4~80 |
10~200 |
100~2000 |
范圍 |
-20~20 |
-80~80 |
-200~200 |
-2000~2000 |
|
S3 |
量程 |
1~40 |
4~160 |
10~400 |
100~4000 |
范圍 |
-40~40 |
-160~160 |
-400~400 |
-4000~4000 |
|
S4 |
量程 |
1~100 |
4~400 |
10~1000 |
100~10000 |
范圍 |
-100~100 |
-400~400 |
-1000~1000 |
-10000~10000 |
|
S5 |
量程 |
2~200 |
8~800 |
20~2000 |
200~20000 |
范圍 |
-200~200 |
-800~800 |
-2000~2000 |
-20000~20000 |
|
S6 |
量程 |
5~500 |
20~2000 |
50~5000 |
500~50000 |
范圍 |
-500~500 |
-2000~2000 |
-5000~5000 |
-50000~50000 |
5-2DX大量程差壓變送器:
量程/范圍 |
MPa |
inH2O |
mBar |
mmH2O |
|
L1 |
量程 |
0.02~2 |
0.08×103~8×103 |
0.2×103~20×103 |
2×103~200×103 |
范圍 |
-2~2 |
-8×103~8×103 |
-20×103~20×103 |
-200×103~200×103 |
|
L2 |
量程 |
1~20 |
0.16×103~16×103 |
0.4×103~40×103 |
4×103~400×103 |
范圍 |
-20~20 |
-16×103~16×103 |
-40×103~40×103 |
-400×103~400×103 |
|
L3 |
量程 |
1~40 |
0.4×103~40×103 |
1×103~100×103 |
10×103~1000×103 |
范圍 |
-40~40 |
-40×103~40×103 |
-100×103~100×103 |
-1000×103~1000×103 |
5-3HP高靜壓差壓變送器:
量程/范圍 |
KPa |
inH2O |
mBar |
mmH2O |
|
HP1 |
量程 |
0.5~10 |
2~40 |
5~100 |
50~1000 |
范圍 |
-10~10 |
-40~40 |
-100~100 |
-1000~1000 |
|
HP2 |
量程 |
1~20 |
4~80 |
10~200 |
100~2000 |
范圍 |
-20~20 |
-80~80 |
-200~200 |
-2000~2000 |
|
HP3 |
量程 |
1~40 |
4~160 |
10~400 |
100~4000 |
范圍 |
-40~40 |
-160~160 |
-400~400 |
-4000~4000 |
|
HP4 |
量程 |
1~100 |
4~400 |
10~1000 |
100~10000 |
范圍 |
-100~100 |
-400~400 |
-1000~1000 |
-10000~10000 |
|
HP5 |
量程 |
2~200 |
8~800 |
20~2000 |
200~20000 |
范圍 |
-200~200 |
-800~800 |
-2000~2000 |
-20000~20000 |
|
HP6 |
量程 |
5~500 |
20~2000 |
50~5000 |
500~50000 |
范圍 |
-500~500 |
-2000~2000 |
-5000~5000 |
-50000~50000 |
美安特專業(yè)生產(chǎn)單晶硅差壓變送器,,單晶硅差壓變送器廠家價格,,江蘇美安特單晶硅差壓變送器芯片采用超高純度單晶硅材質(zhì),其材質(zhì)特性優(yōu)于市場上通用的復合硅,、擴散硅材料,,芯片采用德國領先的單晶硅雙梁懸浮式技術,結合了硅壓阻與硅諧振技術雙方特點,。歡迎垂詢,!
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